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三星電子官方宣布，他們已經(jīng)開始量產(chǎn)采用12nm級工藝的DDR5 DRAM內(nèi)存芯片。這種新內(nèi)存具有每顆16Gb(2GB)的容量，最高速度可達(dá)7.2Gbps(等效頻率7200MHz)，相當(dāng)于每秒能處理兩部30GB的超高清電影。
相較于上一代產(chǎn)品，12nm DDR5內(nèi)存的功耗降低了23％，同時晶圓生產(chǎn)率提高了20％，對于服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心來說，這對于節(jié)能減排非常有益。
三星透露，12nm級工藝的開發(fā)基于一種新型的高K材料，該材料可以提高電池電容，使得數(shù)據(jù)信號的電位差更加明顯，進(jìn)而更容易準(zhǔn)確區(qū)分。
此外，三星還在降低工作電壓和噪聲方面取得了新的突破。值得一提的是，去年12月，三星已完成了16Gb DDR5 DRAM與AMD處理器平臺的兼容性評估。
小編點評：三星宣布已開始大規(guī)模量產(chǎn)12納米工藝的DDR5 DRAM，這將進(jìn)一步鞏固其在存儲芯片領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。新內(nèi)存的功耗降低23％，晶圓生產(chǎn)率提高20％，且具備出色的處理速度和節(jié)能性能，有望滿足數(shù)據(jù)中心、AI和新興計算應(yīng)用的需求。
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